CMPDM302PH TR

Central Semiconductor 分立器件

MOSFET SMD Small Signal Mosfet

P-Channel 30V 2.4A Ta 350mW Ta Surface Mount SOT-23F

得捷:
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F

富昌:
CMPDM302PH 系列 30 V 0.129 V P 沟道增强模式硅 Mosfet-SOT-23F

CMPDM302PH TR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350mW Ta

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 800pF @10VVds

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CMPDM302PH TR引脚图与封装图

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