CXDM4060N TR
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
CXDM4060N TR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 45 mΩ
耗散功率 1.2 W
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
输入电容Ciss 730pF @20VVds
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
CXDM4060N TR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CXDM4060N TR | Central Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 6A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | 搜索库存 |