CWDM3011P TR13
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 3100pF @8VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CWDM3011P TR13 | Central Semiconductor | Mosfet p-Ch 30V 11A 8soic | 搜索库存 |