存取时间 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY7C15632KV18-500BZC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY7C15632KV18-500BZC 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: FBGA | 当前型号 | 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | 当前型号 | |
型号: CY7C15632KV18-500BZXC 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA | 完全替代 | 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | CY7C15632KV18-500BZC和CY7C15632KV18-500BZXC的区别 | |
型号: CY7C15632KV18-500BZXI 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA | 类似代替 | 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | CY7C15632KV18-500BZC和CY7C15632KV18-500BZXI的区别 |