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CY7C1313CV18-200BZXI

CY7C1313CV18-200BZXI

数据手册.pdf

18 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 200MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1313CV18-200BZXI


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM 1Mx18 1.8V QDR-II SRAM 4-WORD BURST


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1313CV18-200BZXI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY7C1313CV18-200BZXI引脚图与封装图
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CY7C1313CV18-200BZXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst Architecture 搜索库存