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CY7C1320KV18-300BZC

CY7C1320KV18-300BZC

数据手册.pdf

18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1320KV18-300BZC


贸泽:
SRAM 18Mb 1.8V 512Kb x 36


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM DDR-II CIO 18MB 165FBGA


CY7C1320KV18-300BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1320KV18-300BZC引脚图与封装图
CY7C1320KV18-300BZC引脚图

CY7C1320KV18-300BZC引脚图

CY7C1320KV18-300BZC封装图

CY7C1320KV18-300BZC封装图

CY7C1320KV18-300BZC封装焊盘图

CY7C1320KV18-300BZC封装焊盘图

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CY7C1320KV18-300BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 搜索库存