CY7C1315BV18-250BZXC

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1315BV18-250BZXC

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静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V COM QDR II 静态随机存取存储器

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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CY7C1315BV18-250BZXC中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 250MHz max

位数 36

存取时间 250 µs

内存容量 18000000 B

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

CY7C1315BV18-250BZXC引脚图与封装图

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