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CY7C1314CV18-200BZI

CY7C1314CV18-200BZI

数据手册.pdf

18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 200MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1314CV18-200BZI


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 18-Mbit QDR-II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture


CY7C1314CV18-200BZI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1314CV18-200BZI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1314CV18-200BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存