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CY7C1150KV18-450BZC

CY7C1150KV18-450BZC

数据手册.pdf

18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 450MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1150KV18-450BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 18MB 512Kx36 1.8v 450MHz DDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 512X36 1.8V SYNC 165FBGA


CY7C1150KV18-450BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1150KV18-450BZC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1150KV18-450BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构( 2.5周期读延迟) 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency 搜索库存