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CY7C1568V18-400BZXC

CY7C1568V18-400BZXC

数据手册.pdf

72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 72Mb(2M x 36) 并联 165-FBGA(15x17)


贸泽:
静态随机存取存储器 72M DDRII+, B2, 2.5


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1568V18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY7C1568V18-400BZXC引脚图与封装图
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CY7C1568V18-400BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位的DDR -II + SRAM 2字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency 搜索库存