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CY7C1548KV18-450BZI

CY7C1548KV18-450BZI

数据手册.pdf

72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.0周期读延迟) 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 72Mb(4M x 18) 并联 450 MHz 165-FBGA(13x15)


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CY7C1548KV18-450BZI


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SRAM 72MB 4Mx18 1.8v 450MHz DDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1548KV18-450BZI中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

CY7C1548KV18-450BZI引脚图与封装图
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在线购买CY7C1548KV18-450BZI
型号 制造商 描述 购买
CY7C1548KV18-450BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.0周期读延迟) 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency 搜索库存
替代型号CY7C1548KV18-450BZI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1548KV18-450BZI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: 165-LBGA

当前型号

72兆位的DDR II SRAM双字突发架构( 2.0周期读延迟) 72-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

当前型号

型号: CY7C1548KV18-400BZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

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