CY7C1312BV18-200BZC

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 18Mb（1M x 18）并联 200 MHz 165-FBGA（13x15）

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CY7C1312BV18-200BZC

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA

CY7C1312BV18-200BZC中文资料参数规格

技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

CY7C1312BV18-200BZC引脚图与封装图

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