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CY7C14141KV18-300BZXC

CY7C14141KV18-300BZXC

数据手册.pdf

36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 36Mb(1M x 36) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C14141KV18-300BZXC


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SRAM Sync SRAM QDR


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


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CY7C14141KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 1 ms

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C14141KV18-300BZXC引脚图与封装图
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CY7C14141KV18-300BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存