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CY7C1512V18-250BZC

CY7C1512V18-250BZC

数据手册.pdf

72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 72Mb(4M x 18) 并联 250 MHz 165-FBGA(15x17)


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CY7C1512V18-250BZC


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静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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72-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture


CY7C1512V18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1512V18-250BZC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1512V18-250BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存