CY7C1312CV18-250BZI
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C1312CV18-250BZI中文资料参数规格
技术参数
位数 18
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CY7C1312CV18-250BZI引脚图与封装图
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在线购买CY7C1312CV18-250BZI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1312CV18-250BZI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture | 搜索库存 |
替代型号CY7C1312CV18-250BZI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1312CV18-250BZI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | 18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture | 当前型号 |
| 型号： CY7C1312CV18-250BZC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 类似代替 | 18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture | CY7C1312CV18-250BZI和CY7C1312CV18-250BZC的区别 |
| 型号： CY7C1312CV18-250BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 类似代替 | 18 - Mbit的QDR - II⑩ SRAM 2字突发架构 18-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture | CY7C1312CV18-250BZI和CY7C1312CV18-250BZXC的区别 |