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CY7C1270KV18-550BZC

CY7C1270KV18-550BZC

数据手册.pdf

36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 550MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1270KV18-550BZC


得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM 36MB 1Mx36 1.8v 550MHz DDR II SRAM


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 1MX36 1.8V SYNC 165-FBGA


CY7C1270KV18-550BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1270KV18-550BZC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1270KV18-550BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency 搜索库存