CJD122 TR13
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @4A, 4V
额定功率Max 1.75 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
CJD122 TR13 | Central Semiconductor | Darlington Transistors DARLINGTON 100V 8A Bipolar SM Trans | 搜索库存 |