CJD112 TR13

Central Semiconductor 分立器件

CJD112 Series 100V 2A NPN Silicon Power Darlington Transistor - TO-252

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK

得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

贸泽:
Darlington Transistors 100Vcbo 100 Vceo 5.0V Comp Darlington

富昌:
CJD112 Series 100 V 2 A NPN Silicon Power Darlington Transistor - TO-252

CJD112 TR13中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 1.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CJD112 TR13引脚图与封装图

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