CXT2222A TR
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
CXT2222A TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.2 W
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1.2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CXT2222A TR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CXT2222A TR | Central Semiconductor | CXT Series 40V 600mA NPN Surface Mount Silicon Transistor - SOT-89 | 搜索库存 |