CDZT2R6.8B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
CDZT2R6.8B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
耗散功率 100 mW
测试电流 5 mA
稳压值 6.79 V
额定功率Max 100 mW
耗散功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 VMN-2
外形尺寸
封装 VMN-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CDZT2R6.8B引脚图与封装图
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在线购买CDZT2R6.8B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CDZT2R6.8B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | VMN 6.79V 0.1W1/10W | 搜索库存 |
替代型号CDZT2R6.8B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CDZT2R6.8B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 2-SMD | 当前型号 | VMN 6.79V 0.1W1/10W | 当前型号 |
| 型号： VDZT2R6.8B 品牌： 罗姆半导体 封装： VMD2/SOD723-6.8V 6.8V | 功能相似 | VDZ6.8B 系列 6.8 V 100 mW 表面贴装 齐纳二极管-VMD-2 | CDZT2R6.8B和VDZT2R6.8B的区别 |