CZRT55C10-G
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Comchip Technology
上华科技
分立器件
CZRT55C10-G中文资料参数规格
技术参数
容差 ±6 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 410 mW
测试电流 5 mA
稳压值 10 V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CZRT55C10-G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买CZRT55C10-G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CZRT55C10-G | Comchip Technology 上华科技 | SOT-23 10V 410mW | 搜索库存 |
替代型号CZRT55C10-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CZRT55C10-G 品牌： Comchip Technology 上华科技 封装： TO-236 | 当前型号 | SOT-23 10V 410mW | 当前型号 |
| 型号： BZX84C10-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 10V | 功能相似 | DiodesZetex BZX84C10-7-F 1 齐纳二极管, 单路, 10V 6% 350 mW 表面贴装 3-Pin SOT-23 | CZRT55C10-G和BZX84C10-7-F的区别 |