CW02B1K000JE12中文资料参数规格
技术参数
额定功率 3 W
电阻 1 kΩ
阻值偏差 ±5 %
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Axial Leaded
外形尺寸
封装 Axial Leaded
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 250℃
温度系数 ±30 ppm/℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CW02B1K000JE12引脚图与封装图
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在线购买CW02B1K000JE12
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CW02B1K000JE12 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY CW02B1K000JE12 绕线电阻, 1千欧 5% 3W | 搜索库存 |
替代型号CW02B1K000JE12
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： CW02B1K000JE12 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： Axial | 当前型号 | VISHAY CW02B1K000JE12 绕线电阻, 1千欧 5% 3W | 当前型号 |
| 型号： WND1K0FET 品牌： Ohmite 封装： Axial 1kΩ 3W ±1% | 功能相似 | OHMITE WND1K0FET 绕线电阻, 1KΩ, 3W, ±1% | CW02B1K000JE12和WND1K0FET的区别 |