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CW201212-2N8J

CW201212-2N8J

数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller 伯恩斯 被动器件

高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors

2.8 nH 无屏蔽 绕线 器 800 mA 60 毫欧 0805(2012 公制)


得捷:
FIXED IND 2.8NH 800MA 60MOHM SMD


艾睿:
Inductor Chip Wirewound 2.8nH 5% 250MHz 32Q-Factor Ceramic 800mA 60mOhm DCR 0805 T/R


CW201212-2N8J中文资料参数规格
技术参数

额定电流 800 mA

容差 5 %

电感 0.0028 µH

自谐频率 6 GHz

Q值 32

电感公差 ±5 %

测试频率 250 MHz

电阻DC) 60 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 40 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.4 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CW201212-2N8J引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CW201212-2N8J Bourns J.W. Miller 伯恩斯 高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors 搜索库存
替代型号CW201212-2N8J
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CW201212-2N8J

品牌: Bourns J.W. Miller 伯恩斯

封装: 0805 2.8nH 800mA

当前型号

高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors

当前型号

型号: 0805-2N8J

品牌: API Delevan

封装: 0805 2.8nH 7.9GHz

功能相似

FIXED IND 2.8nH 800mA 60MOHM

CW201212-2N8J和0805-2N8J的区别

型号: 0805-2N8K

品牌: API Delevan

封装: 0805 2.8nH 7.9GHz

功能相似

FIXED IND 2.8nH 800mA 60MOHM

CW201212-2N8J和0805-2N8K的区别

型号: PE-0805CD2N8JTT

品牌: 普思电子

封装: 0805 2.8nH 600mA

功能相似

0805 2.8nH ±5% 600mA

CW201212-2N8J和PE-0805CD2N8JTT的区别