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CW252016-22NK

CW252016-22NK

数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller 伯恩斯 被动器件

高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors

无屏蔽 绕线 器 120 毫欧最大 1008(2520 公制)


立创商城:
22nH ±10% 120mΩ


得捷:
FIXED IND 22NH 600MA 120MOHM SMD


艾睿:
Inductor Chip Wirewound 22nH 10% 100MHz 55Q-Factor Ceramic 600mA 120mOhm DCR 1008 T/R


Allied Electronics:
Inductor; High Q Chip; Tol 10%; Ind 22nH; Case 1008; DCR 0.10 Ohms


Chip1Stop:
Ind Chip Wirewound 22nH 10% 100MHz 55Q-Factor Ceramic 600mA 1008 T/R


Verical:
Inductor RF Wirewound 0.022uH 10% 50MHz 55Q-Factor Ceramic 1A 0.12Ohm DCR 1008 T/R


MASTER:
Inductor RF Wirewound 0.022uH 10% 50MHz 55Q-Factor Ceramic 1A 0.12Ohm DCR 1008 T/R


Electro Sonic:
Inductor RF Wirewound 0.022uH 10% 50MHz 55Q-Factor Ceramic 1A 0.12Ohm DCR 1008 T/R


CW252016-22NK中文资料参数规格
技术参数

额定电流 0.6 A

电感 0.022 µH

自谐频率 2400 MHz

Q值 60.0

电感公差 ±10 %

测试频率 50 MHz

电阻DC) 0.12 Ω

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.12 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 2520

封装 1008

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 2.2 mm

高度 1.8 mm

封装公制 2520

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

导体材质 Copper

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8504508000

CW252016-22NK引脚图与封装图
CW252016-22NK引脚图

CW252016-22NK引脚图

CW252016-22NK封装图

CW252016-22NK封装图

CW252016-22NK封装焊盘图

CW252016-22NK封装焊盘图

在线购买CW252016-22NK
型号 制造商 描述 购买
CW252016-22NK Bourns J.W. Miller 伯恩斯 高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors 搜索库存
替代型号CW252016-22NK
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CW252016-22NK

品牌: Bourns J.W. Miller 伯恩斯

封装: 1008 25.3nH 2.4GHz 600mA

当前型号

高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors

当前型号

型号: ELJ-NC22NKF

品牌: 松下

封装: 1008 22nH 1.35GHz

功能相似

Inductor High Frequency Chip Wirewound 22nH 10% 100MHz 15Q-Factor Ferrite 240mA 430Mohm DCR 1008 T/R

CW252016-22NK和ELJ-NC22NKF的区别

型号: LEM2520T22NK

品牌: 太诱

封装: 1008 220nH

功能相似

22nH ±10%

CW252016-22NK和LEM2520T22NK的区别