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CW252016-R82J

CW252016-R82J

数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller 伯恩斯 被动器件

高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors

820nH Unshielded Inductor 360mA 2.3Ohm Max 1008 2520 Metric


立创商城:
820nH ±5% 2.3Ω


得捷:
FIXED IND 820NH 360MA 2.3OHM SMD


艾睿:
Make any circuit look clean and compact using this chip CW252016-R82J surface mount inductor from Bourns. This SMD inductor has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device utilizes wirewound technology. Its test frequency is 25M Hz, while its minimum self-resonant frequency is 350M Hz. This product is 2.7 mm long, 1.8 mm tall and 2.2 mm deep. This SMD inductor has a maximum DC current of 360m A with a maximum resistance of 2.3 Ohm. It has a tolerance of 5%. It has an inductance of 820n H.


安富利:
Ind Chip Wirewound 820nH 5% 25MHz 45Q-Factor Ceramic 360mA 1008 T/R


Chip1Stop:
Inductor Chip Wirewound 820nH 5% 25MHz 45Q-Factor Ceramic 360mA 2.3Ohm DCR 1008 T/R


Verical:
Inductor RF Wirewound 0.82uH 5% 25.2MHz 45Q-Factor Ceramic 0.18A 2.3Ohm DCR 1008 T/R


MASTER:
Inductor RF Wirewound 0.82uH 5% 25.2MHz 45Q-Factor Ceramic 0.18A 2.3Ohm DCR 1008 T/R


Electro Sonic:
Inductor RF Wirewound 0.82uH 5% 25.2MHz 45Q-Factor Ceramic 0.18A 2.3Ohm DCR 1008 T/R


CW252016-R82J中文资料参数规格
技术参数

额定电流 360 mA

容差 ±5 %

电感 820 nH

自谐频率 350 MHz

Q值 45

屏蔽 No

电感公差 ±5 %

测试频率 25 MHz

电阻DC) 2.3 Ω

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 2.3 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2520

封装 1008

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 2.2 mm

高度 1.8 mm

封装公制 2520

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8504508000

CW252016-R82J引脚图与封装图
CW252016-R82J引脚图

CW252016-R82J引脚图

CW252016-R82J封装图

CW252016-R82J封装图

CW252016-R82J封装焊盘图

CW252016-R82J封装焊盘图

在线购买CW252016-R82J
型号 制造商 描述 购买
CW252016-R82J Bourns J.W. Miller 伯恩斯 高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors 搜索库存
替代型号CW252016-R82J
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CW252016-R82J

品牌: Bourns J.W. Miller 伯恩斯

封装: 1008 820nH 360mA

当前型号

高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors

当前型号

型号: PM1008-R82K-RC

品牌: 伯恩斯

封装: 1008 820nH 350MHz 400mA

类似代替

高Q值的片式电感器 High Q Chip Inductors

CW252016-R82J和PM1008-R82K-RC的区别

型号: ELJ-NCR82JF

品牌: 松下

封装: 1008 820nH 100MHz

功能相似

Inductor High Frequency Chip Wirewound 820nH 5% 25.2MHz 10Q-Factor Ferrite 100mA 2.1Ω DCR 1008 T/R

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型号: LEM2520TR82J

品牌: 太诱

封装: 1008 820nH 260mA

功能相似

1008 820nH ±5% 260mA

CW252016-R82J和LEM2520TR82J的区别