CIG22H1R2MNE

Samsung(三星) 被动器件

1008 1.2uH ±20%

1.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.5A 94mOhm 1008 2520 Metric

得捷:
FIXED IND 1.2UH 1.5A 94 MOHM SMD

艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 94mOhm DCR 1008 T/R

安富利:
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 1008 Embossed T/R

CIG22H1R2MNE中文资料参数规格

技术参数

额定电流 1.5 A

容差 ±20 %

电感 1.2 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC） 94 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

CIG22H1R2MNE引脚图与封装图

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