CIG21F1R0MNC

Samsung(三星) 被动器件

0805 1uH ±20%

1 µH 屏蔽多层器 800 mA 190 毫欧 0805（2012 公制）

得捷:
FIXED IND 1UH 800MA 190 MOHM SMD

艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 190mOhm DCR 0805 T/R

安富利:
Ind Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 800mA 0805 Paper T/R

CIG21F1R0MNC中文资料参数规格

技术参数

电感 1 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.5 mm

封装公制 2012

封装 0805

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CIG21F1R0MNC引脚图与封装图

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