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CY7C1623KV18-250BZXC

CY7C1623KV18-250BZXC

数据手册.pdf

144兆位的DDR -II SRAM SIO双字突发架构 144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 144Mb 8M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17


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CY7C1623KV18-250BZXC


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IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1623KV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 250 MHz

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1623KV18-250BZXC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1623KV18-250BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 144兆位的DDR -II SRAM SIO双字突发架构 144-Mbit DDR-II SIO SRAM Two-Word Burst Architecture 搜索库存