CY7C1645KV18-400BZXI

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

144 - Mbit的QDRÂ® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 144Mb 4M x 36 Parallel 400MHz 165-FBGA 15x17

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CY7C1645KV18-400BZXI

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CY7C1645KV18-400BZXI中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 400 MHz

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C1645KV18-400BZXI引脚图与封装图

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CY7C1645KV18-400BZXI	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	144 - Mbit的QDRÂ® II SRAM四字突发架构（ 2.0周期读延迟） 144-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency	搜索库存