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CY7C25652KV18-500BZXI

CY7C25652KV18-500BZXI

数据手册.pdf

72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 72Mb 2M x 36 Parallel 500MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C25652KV18-500BZXI


得捷:
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA


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静态随机存取存储器 72Mb 500Mhz 1.8V 2M x 36 QDR II 静态随机存取存储器


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C25652KV18-500BZXI中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 500 MHz

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C25652KV18-500BZXI引脚图与封装图
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CY7C25652KV18-500BZXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT 搜索库存