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CY7C25652KV18-400BZXI

CY7C25652KV18-400BZXI

数据手册.pdf

72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 72Mb(2M x 36) 并联 400 MHz 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C25652KV18-400BZXI


得捷:
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 72MB 2Mx36 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C25652KV18-400BZXI中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C25652KV18-400BZXI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C25652KV18-400BZXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟)与ODT 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency with ODT 搜索库存