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CY7C1513KV18-300BZI

CY7C1513KV18-300BZI

数据手册.pdf

72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1513KV18-300BZI


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IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1513KV18-300BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

CY7C1513KV18-300BZI引脚图与封装图
CY7C1513KV18-300BZI引脚图

CY7C1513KV18-300BZI引脚图

CY7C1513KV18-300BZI封装图

CY7C1513KV18-300BZI封装图

CY7C1513KV18-300BZI封装焊盘图

CY7C1513KV18-300BZI封装焊盘图

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CY7C1513KV18-300BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture 搜索库存