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CY7C1474BV25-200BGXI

CY7C1474BV25-200BGXI

数据手册.pdf

72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NoBL⑩架构 72-Mbit 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 72Mb(1M x 72) 并联 200 MHz 3 ns 209-FBGA(14x22)


得捷:
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 209FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Octal 2.5V 72M-Bit 1M x 72-Bit 5ns 209-Pin FBGA Tray


CY7C1474BV25-200BGXI中文资料参数规格
技术参数

位数 72

存取时间Max 5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 209

封装 FBGA-209

外形尺寸

高度 1.26 mm

封装 FBGA-209

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY7C1474BV25-200BGXI引脚图与封装图
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在线购买CY7C1474BV25-200BGXI
型号 制造商 描述 购买
CY7C1474BV25-200BGXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NoBL⑩架构 72-Mbit 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1474BV25-200BGXI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1474BV25-200BGXI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NoBL⑩架构 72-Mbit 2M x 36/4M x 18/1M x 72 Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture

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