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CY7C1263KV18-500BZXC

CY7C1263KV18-500BZXC

数据手册.pdf

36 - Mbit的QDR ? II + SRAM 4字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb(2M x 18) 并联 500 MHz 165-FBGA(13x15)


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CY7C1263KV18-500BZXC


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


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SRAM 36MB 2Mx18 1.8v 500MHz QDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1263KV18-500BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1263KV18-500BZXC引脚图与封装图
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CY7C1263KV18-500BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36 - Mbit的QDR ? II + SRAM 4字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency 搜索库存