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CY7C1263KV18-550BZXC

CY7C1263KV18-550BZXC

数据手册.pdf

36 - Mbit的QDR ? II + SRAM 4字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb(2M x 18) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C1263KV18-550BZXC


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CY7C1263KV18-550BZXC中文资料参数规格
技术参数

供电电流 850 mA

时钟频率 550 MHz

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 3A991

CY7C1263KV18-550BZXC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1263KV18-550BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36 - Mbit的QDR ? II + SRAM 4字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency 搜索库存
替代型号CY7C1263KV18-550BZXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1263KV18-550BZXC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

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当前型号

型号: CY7C1263KV18-550BZI

品牌: 赛普拉斯

封装: 165-LBGA

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