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CY14B108L-ZS25XI

CY14B108L-ZS25XI

数据手册.pdf

8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 25ns 44-TSOP II


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CY14B108L-ZS25XI


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CY14B108L-ZS25XI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 75 mA

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

CY14B108L-ZS25XI引脚图与封装图
CY14B108L-ZS25XI引脚图

CY14B108L-ZS25XI引脚图

CY14B108L-ZS25XI封装图

CY14B108L-ZS25XI封装图

CY14B108L-ZS25XI封装焊盘图

CY14B108L-ZS25XI封装焊盘图

在线购买CY14B108L-ZS25XI
型号 制造商 描述 购买
CY14B108L-ZS25XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM 搜索库存
替代型号CY14B108L-ZS25XI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY14B108L-ZS25XI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: TSOP

当前型号

8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM

当前型号

型号: CY14B108K-ZS25XI

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP

完全替代

CY14B108K 系列 8 M 1024 K x 8 3.6 V 25 ns 表面贴装 nvSRAM - TSOP-44

CY14B108L-ZS25XI和CY14B108K-ZS25XI的区别

型号: CY14B108K-ZS25XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP

完全替代

8兆位( 1024K ×8 / 512K ×16 )的nvSRAM与实时时钟 8 Mbit 1024K x 8/512K x 16 nvSRAM with Real Time Clock

CY14B108L-ZS25XI和CY14B108K-ZS25XIT的区别

型号: CY14B108L-ZS25XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP

完全替代

8兆位( 1024的K× 512分之8的K× 16 )的nvSRAM无限的读,写和RECALL周期 8-Mbit 1024 K x 8/512 K x 16 nvSRAM Infinite Read, Write, and RECALL cycles

CY14B108L-ZS25XI和CY14B108L-ZS25XIT的区别