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CY7C1425KV18-300BZXC

CY7C1425KV18-300BZXC

数据手册.pdf

36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 9 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1425KV18-300BZXC


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CY7C1425KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 9

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CY7C1425KV18-300BZXC引脚图与封装图
CY7C1425KV18-300BZXC引脚图

CY7C1425KV18-300BZXC引脚图

CY7C1425KV18-300BZXC封装图

CY7C1425KV18-300BZXC封装图

CY7C1425KV18-300BZXC封装焊盘图

CY7C1425KV18-300BZXC封装焊盘图

在线购买CY7C1425KV18-300BZXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1425KV18-300BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1425KV18-300BZXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1425KV18-300BZXC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture

当前型号

型号: CY7C1425KV18-333BZC

品牌: 赛普拉斯

封装: 165-LBGA

完全替代

36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

CY7C1425KV18-300BZXC和CY7C1425KV18-333BZC的区别