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CY7C1373D-133BZI

CY7C1373D-133BZI

数据手册.pdf

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流通型SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 133MHz 6.5ns 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1373D-133BZI


得捷:
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 18M-bit 1M x 18 6.5ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 18M-Bit 1M x 18 6.5ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 18MBIT 133MHZ 165-FPBGA


CY7C1373D-133BZI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 210 mA

时钟频率 133 MHz

位数 18

存取时间 6.5 ns

存取时间Max 6.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1373D-133BZI引脚图与封装图
CY7C1373D-133BZI引脚图

CY7C1373D-133BZI引脚图

CY7C1373D-133BZI封装图

CY7C1373D-133BZI封装图

CY7C1373D-133BZI封装焊盘图

CY7C1373D-133BZI封装焊盘图

在线购买CY7C1373D-133BZI
型号 制造商 描述 购买
CY7C1373D-133BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流通型SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture 搜索库存