CY14B104N-BA20XIT
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY14B104N-BA20XIT中文资料参数规格
技术参数
存取时间 20 ns
存取时间Max 20 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
引脚数 48
封装 FBGA-48
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 6 mm
高度 0.89 mm
封装 FBGA-48
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CY14B104N-BA20XIT引脚图与封装图
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在线购买CY14B104N-BA20XIT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY14B104N-BA20XIT | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM | 搜索库存 |
替代型号CY14B104N-BA20XIT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY14B104N-BA20XIT 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： 48-TFBGA | 当前型号 | 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM | 当前型号 |
| 型号： CY14B104N-BA20XI 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 完全替代 | 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM | CY14B104N-BA20XIT和CY14B104N-BA20XI的区别 |
| 型号： CY14B104NA-BA20XI 品牌： 赛普拉斯 封装： TFBGA | 完全替代 | 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM | CY14B104N-BA20XIT和CY14B104NA-BA20XI的区别 |
| 型号： CY14B104N-BA20XCT 品牌： 赛普拉斯 封装： 48-TFBGA | 功能相似 | 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM | CY14B104N-BA20XIT和CY14B104N-BA20XCT的区别 |