CY7C1148KV18-450BZXC

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 450MHz 165-FBGA 13x15

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CY7C1148KV18-450BZXC

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CY7C1148KV18-450BZXC中文资料参数规格

技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY7C1148KV18-450BZXC引脚图与封装图

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CY7C1148KV18-450BZXC	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency	搜索库存