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CY14B104L-BA20XCT

CY14B104L-BA20XCT

数据手册.pdf

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 20ns 48-FBGA 6x10


得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 48-Pin FBGA T/R


CY14B104L-BA20XCT中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY14B104L-BA20XCT引脚图与封装图
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CY14B104L-BA20XCT Cypress Semiconductor 赛普拉斯 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM 搜索库存