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CY14B104N-ZS25XI

CY14B104N-ZS25XI

数据手册.pdf

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb(256K x 16) 并联 25 ns 44-TSOP II


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CY14B104N-ZS25XI


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IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II


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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 44-Pin TSOP-II


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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 44-Pin TSOP-II


CY14B104N-ZS25XI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 25 ns

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 18.52 mm

宽度 10.26 mm

高度 1.04 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY14B104N-ZS25XI引脚图与封装图
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在线购买CY14B104N-ZS25XI
型号 制造商 描述 购买
CY14B104N-ZS25XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM 搜索库存
替代型号CY14B104N-ZS25XI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY14B104N-ZS25XI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: TSOP-II

当前型号

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

当前型号

型号: CY14B104NA-ZS25XI

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP-II

完全替代

RAM,Cypress Semiconductor### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

CY14B104N-ZS25XI和CY14B104NA-ZS25XI的区别

型号: CY14B104NA-ZS25XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: TSOP

完全替代

4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

CY14B104N-ZS25XI和CY14B104NA-ZS25XIT的区别

型号: CY14B104N-ZS25XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: 44-TSOP

完全替代

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

CY14B104N-ZS25XI和CY14B104N-ZS25XIT的区别