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CY7C1911KV18-333BZC

CY7C1911KV18-333BZC

数据手册.pdf

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(2M x 9) 并联 165-FBGA(13x15)


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IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


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CY7C1911KV18-333BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 9

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

CY7C1911KV18-333BZC引脚图与封装图
CY7C1911KV18-333BZC引脚图

CY7C1911KV18-333BZC引脚图

CY7C1911KV18-333BZC封装图

CY7C1911KV18-333BZC封装图

CY7C1911KV18-333BZC封装焊盘图

CY7C1911KV18-333BZC封装焊盘图

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CY7C1911KV18-333BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 搜索库存