CY7C1320KV18-333BZXC中文资料参数规格
技术参数
位数 36
存取时间 0.45 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
CY7C1320KV18-333BZXC引脚图与封装图 
CY7C1320KV18-333BZXC引脚图
CY7C1320KV18-333BZXC封装图
CY7C1320KV18-333BZXC封装焊盘图
在线购买CY7C1320KV18-333BZXC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1320KV18-333BZXC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | 搜索库存 |
替代型号CY7C1320KV18-333BZXC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1320KV18-333BZXC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | 当前型号 |
| 型号： CY7C1320KV18-333BZC 品牌： 赛普拉斯 封装： 165-LBGA | 完全替代 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | CY7C1320KV18-333BZXC和CY7C1320KV18-333BZC的区别 |
| 型号： CY7C1320KV18-300BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 完全替代 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | CY7C1320KV18-333BZXC和CY7C1320KV18-300BZXC的区别 |