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CY7C1143KV18-400BZI

CY7C1143KV18-400BZI

数据手册.pdf

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 400MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1143KV18-400BZI


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IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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IC SRAM QDRII 18MBIT 165FBGA


CY7C1143KV18-400BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C1143KV18-400BZI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1143KV18-400BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency 搜索库存