CY7C1150KV18-400BZXI
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C1150KV18-400BZXI中文资料参数规格
技术参数
时钟频率 400 MHz
位数 36
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CY7C1150KV18-400BZXI引脚图与封装图
暂无图片
在线购买CY7C1150KV18-400BZXI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1150KV18-400BZXI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | 搜索库存 |
替代型号CY7C1150KV18-400BZXI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1150KV18-400BZXI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | 当前型号 |
| 型号： CY7C1150KV18-400BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： 165-LBGA | 功能相似 | 18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency | CY7C1150KV18-400BZXI和CY7C1150KV18-400BZXC的区别 |