CY14B104NA-ZSP45XI

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 45ns 54-TSOP II

得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II

贸泽:
NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3V 54-Pin TSOP-II Tray

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NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3V 54-Pin TSOP-II Tray

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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray

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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 54-Pin TSOP-II Tray

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IC NVSRAM 4MBIT 45NS 54TSOP

CY14B104NA-ZSP45XI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 52 mA

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY14B104NA-ZSP45XI引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
CY14B104NA-ZSP45XI	Cypress Semiconductor 赛普拉斯	4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times	搜索库存

替代型号CY14B104NA-ZSP45XI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： CY14B104NA-ZSP45XI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯封装： TSOP	当前型号	4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times	当前型号
型号： CY14B104NA-ZSP45XIT 品牌：赛普拉斯封装： TSOP	完全替代	4兆位（ 512K的X二百五十六分之八的K× 16 ）的nvSRAM为20 ns ， 25 ns的，和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times	CY14B104NA-ZSP45XI和CY14B104NA-ZSP45XIT的区别
型号： STK14EC16-UF45 品牌：赛普拉斯封装：	功能相似	NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3V 54Pin TSOP-II Tube	CY14B104NA-ZSP45XI和STK14EC16-UF45的区别
型号： STK14EC16-UF45I 品牌：赛普拉斯封装：	功能相似	NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3V 54Pin TSOP-II Tube	CY14B104NA-ZSP45XI和STK14EC16-UF45I的区别