CY7C1320KV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数
位数 36
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 3A991.b.2.a
CY7C1320KV18-250BZC引脚图与封装图 
CY7C1320KV18-250BZC引脚图
CY7C1320KV18-250BZC封装图
CY7C1320KV18-250BZC封装焊盘图
在线购买CY7C1320KV18-250BZC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1320KV18-250BZC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | CY7C1320JV18 18 Mb 512 K x 36 1.8V 250 MHz DDR-II 2-字突发 SRAM-FBGA-165 | 搜索库存 |
替代型号CY7C1320KV18-250BZC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1320KV18-250BZC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA-165 | 当前型号 | CY7C1320JV18 18 Mb 512 K x 36 1.8V 250 MHz DDR-II 2-字突发 SRAM-FBGA-165 | 当前型号 |
| 型号： CY7C1320KV18-250BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 完全替代 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | CY7C1320KV18-250BZC和CY7C1320KV18-250BZXC的区别 |
| 型号： CY7C1320KV18-250BZCT 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA-165 | 完全替代 | SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165Pin FBGA T/R | CY7C1320KV18-250BZC和CY7C1320KV18-250BZCT的区别 |
| 型号： CY7C1320KV18-250BZXI 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA-165 | 类似代替 | 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture | CY7C1320KV18-250BZC和CY7C1320KV18-250BZXI的区别 |