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CY14B104N-BA45XI

CY14B104N-BA45XI

数据手册.pdf

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4-Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb(256K x 16) 并联 45 ns 48-FBGA(6x10)


立创商城:
CY14B104N-BA45XI


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IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA


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NVRAM 4 Mbit 256K x 16 45ns nvSRAM


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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 48-Pin FBGA


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NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3.3V 48-Pin FBGA


CY14B104N-BA45XI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 6 mm

高度 0.89 mm

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CY14B104N-BA45XI引脚图与封装图
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在线购买CY14B104N-BA45XI
型号 制造商 描述 购买
CY14B104N-BA45XI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4-Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM 搜索库存
替代型号CY14B104N-BA45XI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY14B104N-BA45XI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: 48-TFBGA

当前型号

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4-Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

当前型号

型号: CY14B104NA-BA45XI

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

CY14B104N-BA45XI和CY14B104NA-BA45XI的区别

型号: CY14B104NA-BA45XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

CY14B104N-BA45XI和CY14B104NA-BA45XIT的区别

型号: CY14B104N-BA45XIT

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM

CY14B104N-BA45XI和CY14B104N-BA45XIT的区别