CY7C1314KV18-250BZXI中文资料参数规格
技术参数
位数 36
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 LBGA-165
外形尺寸
封装 LBGA-165
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 3A991.b.2.a
CY7C1314KV18-250BZXI引脚图与封装图 
CY7C1314KV18-250BZXI引脚图
CY7C1314KV18-250BZXI封装图
CY7C1314KV18-250BZXI封装焊盘图
在线购买CY7C1314KV18-250BZXI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1314KV18-250BZXI | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 | 搜索库存 |
替代型号CY7C1314KV18-250BZXI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1314KV18-250BZXI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 | 当前型号 |
| 型号： CY7C1314KV18-250BZI 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA-165 | 完全替代 | 18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture | CY7C1314KV18-250BZXI和CY7C1314KV18-250BZI的区别 |
| 型号： CY7C1314KV18-250BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 功能相似 | 18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture | CY7C1314KV18-250BZXI和CY7C1314KV18-250BZXC的区别 |